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          长江存储今年底量产64层3D NAND闪存芯片

          时间:2019-3-27, 来源:互联网, 资讯类别:行业动态

          产业链消息,中国长江存储将如期在今年底量产64层3D NAND闪存芯片,长江存储与国外厂商的技术差距可望从3、4年缩短到2年左右。

          同时,在闪存价格不断下探的2019年,长江存储的入局将进一步加剧竞争态势,使得价格争夺更猛烈。

          对于这样的新面孔,美光执行副总裁Sumit Sadana最近表示,他和公司密切关注中国存储新星的动态。不过,他同时指出,无论品质还是良率,新企业还有很大的提升空间,包括满足客户的各?#20013;?#27714;。

          Sadana认为,位列前茅的闪存企业不会被赶出市场,但会否进一步整合则有待观察。

          虽然长江入局的这一年并非闪存初于高位,利润率或将受损,但外界预计,中方客户们可能会非常乐意采购长江存储的产品,在总需求没有显着改善的情况下也就意味着,逐步减少对国外品牌的依赖。

          长江存储这边去年就已经研发成功了32层堆栈64Gb核心容量的的NAND闪存,并且少量生产用于U盘等产品,但32层64Gb容量的NAND闪存已经没?#33455;?#20105;力了,长江存储此前公布的目标是今年量产64层堆栈的3D NAND闪存。

          日经新闻报道称,长江存储联席CTO程卫华日前在中国国际半导体技术大会表示该公司的生产正如期进行,与全球供应商的合作关系照旧。他说这番话的背景是因为另一家存储芯片厂商福建晋华因为合作火爆联电在台湾挖人而与美光公司交恶,惹上了侵权知识产权的麻?#24120;?#32780;晋华公司也被美国政府制裁,美国的半导体设备厂商不能再给福建晋华公司供应生产设备,导致公司运转停止。

          程卫华表示该公司决不?#24066;?#21592;工侵犯知识产权或者窃取其他公司机密,已要求公司员工签署?#20449;?#20070;,不能把非法资料带入公司。

          此外,对于担心长江存储入局NAND闪存会带来产能过剩、低价竞争等问题,程卫华还表示公司不会大举扩产让市场供过于求。


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