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          PNP硅平面介质功率 大电流晶体管ZTX951

          时间:2019-3-8, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

          ZTX951PNP硅平面介质功率

          大电流晶体管

          4安培持续电流

          最高15安培峰值电流

          非常低的饱和电压

          高达10安培的卓越增益

          提供SPICE型号

          绝对最大额定值。

          参数符号值单位

          集电极基极电压VCBO-100 V

          集电极-发射极电压VCEO-60 V

          发射极基极电压VEBO-6 V

          峰值脉冲电流Icm-15 A

          连续集电极电流IC-4 A

          ?#23548;?#21151;耗*ptotp 1.58 W

          Tamb=25°C时的功耗ptot 1.2 W

          工作和储存温度范围tj:tstg-55至+200°C

          *假设设备以典型方式安装在P.C.B.上,且铜至少等于1平?#25509;?#23544;,则可耗散的功率。

          电气特性(除非另有说明,否则在环境温度=25°C时)

          参数符号最小类型最大单位条件。

          集电极基极击穿

          电压

          V(Br)CBO-100-140 V IC=-100微安

          集电极-发射极击穿

          沃尔塔格

          V(Br)CER-100-140 V IC=-1微安,Rb≤1千欧

          集电极-发射极击穿

          电压

          V(BR)CEO-60-90 V IC=-10 mA*

          发射极基极击穿

          电压

          V(Br)EBO-6-8 V Ie=-100微安

          集电极截止电流icbo-50- 1钠甲

          VCB=-80V

          VCB=-80V,环境温度=100°C

          集电极截止电流Icer

          r小于1k- 50- 1钠甲

          VCB=-80V

          VCB=-80V,环境温度=100°C

          发射极截止电流iebo-10 na veb=-6V

          集电极-发射极饱和

          电压

          VCE(SAT)- 15 - 60 - 120- 220- 50- 100- 160- 300中频

          Ic=-100mA,Ib=-10mA*

          Ic=-1a,Ib=-100mA*

          Ic=-2a,Ib=-200mA*

          Ic=-4a,Ib=-400毫安*

          基极发射极

          饱和电压

          VBE(SAT)-960-1100 mV IC=-4a,IB=-400mA*

          产品规格

          产品属性 属性值 搜索类似

          制造商: Diodes Incorporated

          产品分类: 双极晶体管 - BJT

          RoHS指令: 细节

          安装方式: 通孔

          包装/案例: TO-92-3

          晶体管极性: PNP

          组态: 单

          集电极 - 发射极电压VCEO Max: 60伏

          集电极 - 基极电压VCBO: - 100 V

          发射极 - 基极电压VEBO: - 6 V

          最大直流集电极电流: 4 A.

          增益带宽产品fT: 120 MHz

          最低工作温度: - 55 C.

          最高工作温度: + 150 C

          系列: ZTX951

          高度: 4.01毫米

          长度: 4.77毫米

          打包: 块

          宽度: 2.41毫米

          牌: Diodes Incorporated

          连续收集器电流: - 4 A.

          CNHTS: 8541210000

          HTS代码: 8541210095

          MXHTS: 85412101

          Pd - 功?#27169;?1.2 W

          产?#38450;?#21035;: BJTs - 双极晶体管

          工厂包装数量: 4000

          类别: 晶体管

          TARIC: 8541210000

          单重: 0.015873盎司

          电气特性(Tamb = 25°C)

          PARAMETER SYMBOL MIN。TYP。MAX。 单位条件。

          基射

          开启电压

          VBE(on)-850 -1000 mV IC = -4A,VCE = -1V *

          静态转发

          电流转移率

          hFE 100 100 75 10 200 200 120 25 300

          IC = -10mA,VCE = -1V *

          IC = -1A,VCE = -1V *

          IC = -4A,VCE = -1V *

          IC = -10A,VCE = -1V *

          转换频率fT 120 MHz IC = -100mA,VCE = -10V

          F =50MHz的

          输出电容Cobo 74 pF VCB = -10V,f = 1MHz 82 350 NS

          IC = -2A,IB1 = -200mA

          IB2 = 200mA,VCC = -10V

          *在脉冲条件下测量。 脉冲宽度=300μs。 工作周期≤2%

          热特性

          PARAMETER SYMBOL MAX。 单元

          热阻:连接到环境

          案件的结?#31995;?/p>


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