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          PNP硅平面介質功率 大電流晶體管ZTX951

          時間:2019-3-8, 來源:互聯網, 文章類別:元器件知識庫

          ZTX951PNP硅平面介質功率

          大電流晶體管

          4安培持續電流

          最高15安培峰值電流

          非常低的飽和電壓

          高達10安培的卓越增益

          提供SPICE型號

          絕對最大額定值。

          參數符號值單位

          集電極基極電壓VCBO-100 V

          集電極-發射極電壓VCEO-60 V

          發射極基極電壓VEBO-6 V

          峰值脈沖電流Icm-15 A

          連續集電極電流IC-4 A

          實際功耗*ptotp 1.58 W

          Tamb=25°C時的功耗ptot 1.2 W

          工作和儲存溫度范圍tj:tstg-55至+200°C

          *假設設備以典型方式安裝在P.C.B.上,且銅至少等于1平方英寸,則可耗散的功率。

          電氣特性(除非另有說明,否則在環境溫度=25°C時)

          參數符號最小類型最大單位條件。

          集電極基極擊穿

          電壓

          V(Br)CBO-100-140 V IC=-100微安

          集電極-發射極擊穿

          沃爾塔格

          V(Br)CER-100-140 V IC=-1微安,Rb≤1千歐

          集電極-發射極擊穿

          電壓

          V(BR)CEO-60-90 V IC=-10 mA*

          發射極基極擊穿

          電壓

          V(Br)EBO-6-8 V Ie=-100微安

          集電極截止電流icbo-50- 1鈉甲

          VCB=-80V

          VCB=-80V,環境溫度=100°C

          集電極截止電流Icer

          r小于1k- 50- 1鈉甲

          VCB=-80V

          VCB=-80V,環境溫度=100°C

          發射極截止電流iebo-10 na veb=-6V

          集電極-發射極飽和

          電壓

          VCE(SAT)- 15 - 60 - 120- 220- 50- 100- 160- 300中頻

          Ic=-100mA,Ib=-10mA*

          Ic=-1a,Ib=-100mA*

          Ic=-2a,Ib=-200mA*

          Ic=-4a,Ib=-400毫安*

          基極發射極

          飽和電壓

          VBE(SAT)-960-1100 mV IC=-4a,IB=-400mA*

          產品規格

          產品屬性 屬性值 搜索類似

          制造商: Diodes Incorporated

          產品分類: 雙極晶體管 - BJT

          RoHS指令: 細節

          安裝方式: 通孔

          包裝/案例: TO-92-3

          晶體管極性: PNP

          組態: 單

          集電極 - 發射極電壓VCEO Max: 60伏

          集電極 - 基極電壓VCBO: - 100 V

          發射極 - 基極電壓VEBO: - 6 V

          最大直流集電極電流: 4 A.

          增益帶寬產品fT: 120 MHz

          最低工作溫度: - 55 C.

          最高工作溫度: + 150 C

          系列: ZTX951

          高度: 4.01毫米

          長度: 4.77毫米

          打包: 塊

          寬度: 2.41毫米

          牌: Diodes Incorporated

          連續收集器電流: - 4 A.

          CNHTS: 8541210000

          HTS代碼: 8541210095

          MXHTS: 85412101

          Pd - 功耗: 1.2 W

          產品類別: BJTs - 雙極晶體管

          工廠包裝數量: 4000

          類別: 晶體管

          TARIC: 8541210000

          單重: 0.015873盎司

          電氣特性(Tamb = 25°C)

          PARAMETER SYMBOL MIN。TYP。MAX。 單位條件。

          基射

          開啟電壓

          VBE(on)-850 -1000 mV IC = -4A,VCE = -1V *

          靜態轉發

          電流轉移率

          hFE 100 100 75 10 200 200 120 25 300

          IC = -10mA,VCE = -1V *

          IC = -1A,VCE = -1V *

          IC = -4A,VCE = -1V *

          IC = -10A,VCE = -1V *

          轉換頻率fT 120 MHz IC = -100mA,VCE = -10V

          F =50MHz的

          輸出電容Cobo 74 pF VCB = -10V,f = 1MHz 82 350 NS

          IC = -2A,IB1 = -200mA

          IB2 = 200mA,VCC = -10V

          *在脈沖條件下測量。 脈沖寬度=300μs。 工作周期≤2%

          熱特性

          PARAMETER SYMBOL MAX。 單元

          熱阻:連接到環境

          案件的結合點


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