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          40V高电流低漏电肖特基二极管ZLLS2000TA

          时间:2019-3-25, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

          产品摘要
          VRRM(V)IO(A)VF最大值(V)
          + 25°C
          30V + 25°C
          40 2 0.54 40
          描述和应用
          表面贴装肖特基势垒二极管,具有低正向电压
          跌落适用于高频整流和反向电压
          保护。
          DC - DC转换器
          频闪
          手机
          充电电路
          电机控制
          特点和好处
          阻力低等效
          极低的泄漏
          低VF,快速开关肖特基
          封装热额定温度为+ 150°C
          完全无铅且完全符合RoHS标准(注1和2)
          卤素和无锑。 “绿色”装置(注3)
          符合AEC-Q101高可靠?#21592;?#20934;
          机械数据
          案例:SOT26
          表壳材质:模压塑料,“绿色”成型复合物;
          UL可燃性分类等级94V-0
          湿度敏感度:J-STD-020的1级
          端子:哑光锡表面退火铜引线框;
          (无铅电镀)根据MIL-STD-202,方法208可焊接
          重量:0.016克(近似值

          最大额定值(@TA = + 25°C,除非另有说明。)
          特征符号值单位
          连续反向电压VRRM 40 V.
          正向电流IF 2.2 A.
          峰值重复正向电流
          矩?#28201;?#20914;占空比IFPK 3.55 A.
          非重复正向电流t≤100μst≤10msIFSM
          热特性
          特征符号值单位
          功耗@TA = + 25°C
          单模连续
          单个芯片在t <5 secsPD时测量
          连接到环境(注5)RθJA113°C / W.
          连接到环境(注6)RθJA73°C / W.
          存储温度范围TSTG -55至+ 150°C
          结温TJ + 150°C

          电气特性(@TA = + 25°C,除非另有说明。)
          特征符号最小值典型最大单位测试条件
          反向击穿电压V(BR)R 40 - - V IR = 1mA
          正向电压(注7)VF
          - 285 -mV
          IF = 50mA
          - 305 - IF = 100mA
          - 335 - IF = 250mA
          - 365 390 IF = 500mA
          - 403 430 IF = 1A
          - 433 490 IF = 1.5A
          - 461 540 IF = 2A
          - 509 600 IF = 3A
          - 450 - IF = 2A,TA = + 100°C
          反向电流IR
          VR = 30V
          VR = 30V,TA = + 85℃
          二极管电容CD-65-pF f = 1MHz,VR = 30V
          反向恢复时间
          反向恢复费用
          从IF = 500mA切换到VR = 5.5V
          测量@ IR 50mA。 di / dt = 500mA / ns。
          RSOURCE =6Ω; RLOAD =10Ω

          封装外形尺寸
          SOT26

          建议的垫布局


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