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          IRL2203NLPBF产品参考价格

          IRL2203NLPBF产品参数

          品牌:
          Infineon Technologies
          描述:
          MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
          详细描述:
          通孔 N ?#26723;?30V 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) TO-262
          制造商
          Infineon Technologies
          系列
          HEXFET?
          包装
          管件
          零件状态
          停產
          FET 类型
          N ?#26723;?/dd>
          技术
          MOSFET(金属氧化物)
          漏源电压(Vdss)
          30V
          电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
          116A(Tc)
          驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
          4.5V,10V
          不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
          7 毫欧 @ 60A,10V
          不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
          3V @ 250μA
          不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
          60nC @ 4.5V
          Vgs(最大值)
          ±16V
          不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
          3290pF @ 25V
          FET 功能
          -
          功率耗散(最大值)
          3.8W(Ta),180W(Tc)
          工作温度
          -55°C ~ 175°C(TJ)
          安装类型
          通孔
          供应商器件封装
          TO-262
          封装/外壳
          TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
          标准包装
          50
          其它名称
          *IRL2203NLPBF SP001558636
          对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
          无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
          湿气敏感性等级(MSL)
          1(无限)
          型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
          •  
          • 型号
          • 供货商
          • 厂家
          • 批号
          • 数量
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          • IRL2203NLPBF
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          • Infineon Technologies 
          • 13+ 
          • 35000 
          • TO-262 
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