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          IXFH58N20Q Datasheet技术文件下载

          IXFH58N20Q产品参数和技术文档

          IXFH58N20Q产品图

          IXFH58N20Q产品参考价格

          IXFH58N20Q产品参数

          品牌:
          IXYS
          描述:
          MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
          详细描述:
          通孔 N ?#26723;?200V 58A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
          制造商
          IXYS
          系列
          HiPerFET??
          包装
          管件
          零件状态
          停產
          FET 类型
          N ?#26723;?/dd>
          技术
          MOSFET(金属氧化物)
          漏源电压(Vdss)
          200V
          电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
          58A(Tc)
          驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
          10V
          不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
          40 毫欧 @ 29A,10V
          不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
          4V @ 4mA
          不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
          140nC @ 10V
          Vgs(最大值)
          ±20V
          不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
          3600pF @ 25V
          FET 功能
          -
          功率耗散(最大值)
          300W(Tc)
          工作温度
          -55°C ~ 150°C(TJ)
          安装类型
          通孔
          供应商器件封装
          TO-247AD(IXFH)
          封装/外壳
          TO-247-3
          标准包装
          30
          对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
          无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
          型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
          •  
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          • 供货商
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